空间电荷区N区显正电性，P区显负电性，形成电场，叫内电场。P区空穴浓度大，N区自由电子浓度大。PN结内的电场方向是由N区指向P区。内电场会阻碍多数载流子的扩散运动，会促进少数载流子的漂移运动。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成比较大的扩散电流，称为正向电流。PN结通过正向电压时可以导电，常称导通；加反向电压时不导电，常称为截止。
空间电荷区，也叫耗尽层，也叫PN结。
空间电荷区N区显正电性，P区显负电性，形成电场，叫内电场。
PN结中内电场方向是从N指向P。
电子的受力方向是和电场的方向相反的。电场方向是从N指向P区的，所以电子的受力方向是从P区指向N区的，N区的自由电子即使进入电场，也会被弹回来到N区。
P区空穴浓度大，N区自由电子浓度大。在P型半导体和N型半导体的交界面，产生扩散运动。P型半导体中的空穴向N区半导体扩散，因为失去空穴而带负电。N型半导体区域的自由电子向P区扩散，因为N区失去自由电子而带正电。这样在N区和P区之间行成了一个自发行成的内电场，也叫自建电场。
PN结内的电场方向是由N区指向P区。在内电场的作用下，电子从P区向N区做漂移运动，空穴从N区到P区做漂移运动。经过一段时间,扩散运动与漂移运动达到一种动态平衡的状态。在P型半导体和N型半导体交界面附近，形成一定厚度的空间电荷区，也叫耗尽层。自由电子和空穴复合，N区留下了带正电的离子，P区留下了负电的离子，所以PN结也叫耗尽层。
内电场会阻碍多数载流子的扩散运动，会促进少数载流子的漂移运动。
PN结内建电场会阻碍多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动，所以也叫阻挡层。
PN结由于自由电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，两侧存在势能差，就叫做势垒。势垒电压硅材料是0.7伏，锗是0.3伏。
PN结在外施加正向电压，也就是P区接电源正极，N区接电源负极。PN结内建电场方向是从N区指向P区，电源外部电场力的方向是从电源正极指向负极，也就是外部电场方向是P区指向N区。由于外加电压的电场方向和PN结内电场的方向是相反的。在外电场的作用下，内电场将被削弱，使阻挡层将变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成比较大的扩散电流，称为正向电流。PN结正向导电时，电阻很小。
PN结施加反向电压，就是P极连接电源负极，N极连接电源正极。由于电源方向由正极指向负极，就是由N极指向P极。PN结内建电场的方向是N区指向P区。外加电场的方向和内电场的方向一致，增强了内电场，多数载流子的扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动行成了反向电流。由于少数载流子的为数很少,所以反向电流是很微弱的。PN结在反向电压下，电阻是很大的。
PN结通过正向电压时可以导电，常称导通；加反向电压时不导电，常称为截止。所以PN结具有单向导电性。
晶体管
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